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清华大学光刻方案原理

发表时间：2024-07-31 05:44:02 来源：网友投稿

清华大学光刻方案是一种用于微电子制造中的光刻技术，其原理基于光的干涉和衍射效应。

光刻技术是微电子制造中的关键技术之一，主要用于制造集成电路中的微细结构。清华大学光刻方案的原理是，在光刻胶层上涂覆一层薄膜，然后使用激光将薄膜表面照射，使得胶层上的某些区域被曝光，形成一个光刻图形。在清华大学光刻方案中，光刻图形是通过将激光束分为两束，一束称为参考光束，另一束称为蚀刻光束。参考光束经过分束器后，照射到光刻胶层表面，形成一个参考光刻图形，蚀刻光束则通过透镜和反射镜的组合，使其与参考光束重合，并照射到胶层表面。当参考光束和蚀刻光束重合时，胶层表面会被照射到，形成一个光刻图形。然后使用化学蚀刻技术，将胶层表面的未曝光部分去除，留下被曝光的胶层部分，形成一个微细结构。这样就可以通过多次曝光和化学蚀刻的过程，制造出复杂的微细结构，如晶体管、集成电路等。总体而言清华大学光刻方案利用光的干涉和衍射效应，通过控制光束的路径和强度，将胶层表面曝光和去除，从而实现微细结构的制造。

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