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热氧化物在硅片制造的四种用途

发表时间：2024-05-28 15:12:36 来源：网友投稿

1、金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。2、注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。3、势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。4、掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。

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