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fga25n120的基本信息:

发表时间:2024-07-12 00:15:12 来源:网友投稿

晶体管类型:IGBT集电极直流电流:50A饱和电压,Vcesat最大:2.5V最大功耗:312W电压,Vceo:1200V工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-3P上升时间:50ns功率,Pd:312W功耗:312W封装类型:TO-3P晶体管极性:NPN最大连续电流,Ic:50A电压,Vces:1200V电流,Ic@Vce饱和:25A电流,Icm脉冲:75A表面安装器件:通孔安装

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