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自对准工艺原理

发表时间：2024-07-27 21:01:43 来源：网友投稿

一种具有p+区域自对准工艺的碳化硅mosfet器件，包括自下而上依次设置的背面漏极金属、碳化硅衬底和碳化硅外延层，所述碳化硅外延层上方内部设置有两组对称布设的p阱，所述p阱内部中间部位设置有由第一次自对准工艺得到的源极接触n+区域，所述源极接触n+区域内部中间部位设置有由第二次自对准工艺得到的源极接触p+区域，所述碳化硅外延层上表面上设置有第一绝缘栅介质层，所述第一绝缘栅介质层上设置有栅电极，所述第一绝缘栅介质层和栅电极上设置有开孔，所述栅电极上和开孔的侧壁上设置有第二绝缘栅介质层，所述第二绝缘栅介质层上设置有源极接触孔，所述源极接触孔内设置有源极金属，所述源极金属位于源极接触n+区域和源极接触p+区域的上方。

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