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GQDs是直接带隙半导体吗

发表时间：2024-07-27 21:03:59 来源：网友投稿

是

单层danS2是一种直接带隙半导体材料，具有较高的光致荧光发光效率。

GQD等离激元的电掺杂效应可以调控单层MoS2中的激子和三激子复合发光。近期已有利用电致掺杂、化学分子掺杂MoS2单层的报道，但仍存在掺杂不易调控、掺杂效率不高等问题，方哲宇等人创新性地制备了GQD/MoS2异质结结构，利用石墨烯量子点的等离激元隧穿效应，实现了一种新的高效光控界面掺杂，并通过拉曼光谱和荧光光谱对其进行了表征和分析，发现掺杂可以对MoS2单层的谷偏振度进行有效调控。

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