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什么是栅氧

发表时间：2024-07-27 23:47:58 来源：网友投稿

栅氧是指MOS器件及其IC中，栅极下面存在一薄层SiO2，此即通称的栅氧（化层）。

当前器件尺寸在不断缩小，要求栅氧厚度不断减薄，但电源电压并不能随之按比例减小，栅介质所承受的电场强度在不断增加

（1）瞬时击穿

（2 ) 与时间有关的介质击穿（TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown )

这是由于在施加电应力的过程中，氧化层内产生并积聚了缺陷（陷阱）的缘故

产生缺陷-〉积累-〉临界值

热电作用击穿

改进措施：

（1）控制原料杂质含量

（2）加工时有效清洁措施

（3）防止Na+，灰尘，玷污

（4）热氧化时应用二步法，三步法氧化

（5）栅氧易受静电作用，产生损伤注意防范，采取保护措施

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