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点缺陷类型共分为哪三种

发表时间：2024-07-28 02:35:19 来源：网友投稿

本征缺陷

本征缺陷的类型是，在点阵中晶格结点出现空位，或在不该有粒子的间隙上多出了粒子（间隙粒子）。

另外还可能是一种粒子占据了另一种粒子应该占据的位置形成错位。这些缺陷的产生，主要由于粒子的热运动。任何高于OK的实际晶体，晶格结点上的粒子都在其平衡位置附近做热运动，若干能量较高的粒子脱离其平衡位置从而形成缺陷。

杂质缺陷

杂质缺陷是点缺陷中数目最多的一类。半径较小的杂质粒子常以间隙粒子进入晶体。离子晶体中如果杂质离子的氧化数与所取代的离子不一致，就会给晶体带来额外电荷。这些额外电荷必须通过其他相反电荷的离子来补偿或通过产生空位来抵消，以保持整个晶体的电中性。杂质缺陷一般并不改变原基质晶体的晶格，但会因晶格畸化而活化，为粒子的迁移提供条件。

电子缺陷

电子缺陷则可以认为是以上两类缺陷引起的一种电子效应缺陷。按照能带理论，OK下大多数半导体材料的纯

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净完整晶体都是电绝缘体，但在高于OK的温度下，由于热激发、光辐照等因素会使少数电子从满带激发到导带，原来满带中被这些电子占据的能级便空余出来，能带中的这些空轨道称为空穴。满带中的空穴和导带中的部分电子是使半导体导电的主要原因，可见，实际晶体中的微量杂质和其他缺陷改变了晶体的能带结构并控制着其中电子和空穴的浓度及其运动，对晶体的性能具有重要的影响。

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