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HTCC和LTCC的区别

发表时间：2024-07-28 02:55:33 来源：网友投稿

一、材料的区别：

低温共烧陶瓷为了保证在低温共烧条件下有高的烧结密度，通常在组分中添加无定形玻璃、晶化玻璃、低熔点氧化物等来促进烧结。玻璃和陶瓷复合材料是一种典型的低温共烧陶瓷材料。另外，还有晶化玻璃，晶化玻璃和陶瓷的复合物及液相烧结陶瓷。所用的金属是高电导材料（Ag、Cu、Au及其合金，如Ag-Pd、Ag-Pt、Au-Pt等）。

高温共烧陶瓷材料主要为氧化铝、莫来石和氮化铝为主成分的陶瓷，HTCC的陶瓷粉末并无加入玻璃材质。导体浆料采用材料为钨、钼、钼、锰等高熔点金属发热电阻浆料。

二、工艺的区别

HTCC工艺和LTCC工艺基本相同，典型工艺流程包括生瓷带流延、裁片、冲孔、填孔印刷、叠片层压、烧制等。只是由于选用的材料不同而使得烧结温度的不同，HTCC一般在1500°C以上高温烧结，而LTCC烧结温度一般在1000°C以下。

三、应用的区别

1、LTCC的应用

LTCC采用电导率高而熔点低的Au、Ag、Cu等金属作为导体材料，由于玻璃陶瓷低介电常数和在高频低损耗性能，使之非常适合应用于射频、微波和毫米波器件中。主要用于高频无线通信领域、航空航天、存储器、驱动器、滤波器、传感器以及汽车电子等领域。

2、HTCC的应用

因烧成温度高，HTCC不能采用金、银、铜等低熔点金属材料，必须采用钨、钼、锰等难熔金属材料，这些材料电导率低，会造成信号延迟等缺陷，所以不适合做高速或高频微组装电路的基板。但是由于HTCC基板具有结构强度高、热导率高、化学稳定性好和布线密度高等优点，所以在大功率微组装电路中具有广泛的应用前景。

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