sic衬底与外延片的区别
发表时间：2024-07-28 03:03:49
来源：网友投稿
在半导体制造过程中，SIC（碳化硅）衬底和外延片是两个不同的概念和组成部分。
1. SIC衬底：SIC衬底是指碳化硅材料制成的基底层，它是构成SIC器件的基础。SIC衬底通常是通过特定的生长方法，如化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等技术在晶圆上生长得到的。SIC衬底具有优异的热导率、高温稳定性和耐压能力，可以应用于高功率电子器件、光电子器件等领域。
2. 外延片：外延片是在衬底上进行材料外延生长的薄膜层。通常使用化学气相沉积（CVD）或分子束外延（MBE）等技术，将所需的半导体材料以原子层面逐渐生长到衬底上，形成具有特定结构和电学性能的薄膜。外延片的材料通常与衬底不同，并且用于形成各种半导体器件的活动层，例如晶体管、二极管、激光器等。
总结起来SIC衬底是指碳化硅材料的基底层，而外延片是在衬底上生长的薄膜层，用于形成具体的半导体器件。SIC衬底提供了良好的热性能和机械支撑，而外延片则决定了器件的电学特性和功能。两者在半导体制造中扮演着不同的角色。
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