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az1500光刻胶工艺参数

发表时间：2024-07-28 07:01:37 来源：网友投稿

厚。

AZ光刻胶特点：

适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）

适用于正/负图形

很宽的膜厚范围

AZ光刻胶工艺条件：

前烘：

1、00℃ 60秒 (DHP)

曝光：

1、线步进式曝光机/接触式曝光机

反转烘烤：

1、10~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒

全面曝光：310~405nm(在曝光光源下全面照射)

显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle

AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗：去离子水30秒

后烘：

1、20℃ 120秒（DHP）

剥离：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于全球半导体行业。

光刻胶产品型号及参数

光刻胶名称

型号

匀胶厚度

Merck AZ 正/负可转换型光刻胶

AZ 5214

0.5-6um

AZ 50XT 正胶

AZ 50XT

40-80um

AZ 9260 正胶

AZ 9260

6.2-15um

AZ 4620 光刻胶

AZ 4620

10-15um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 2015

13-38um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 2050

40-170um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 2075

60-240um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 2150

190-650um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 3010

8-15um

MicroChem SU-8 负胶

SU-8 3050

44-100um

AZ光刻胶其他参数及说明：

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