锗硅工艺和cmos区别
发表时间：2024-07-29 12:08:02
来源：网友投稿
CMOS 是一种晶体管，晶体管的概念是区别与电子管
早些时候电子信号要发射出去，需要放大，用的是真空玻璃的电子放大器，有控制栅极，有阴极电子发射端，有阳极收集端（收集电子的）
后来1947年，咱们集成电路的发明人，用晶体实现了电信号的放大，用的是锗晶体做成的半导体器件，就叫晶体管
晶体管有两种模式，一种是单极型晶体管，一种载流子参与工作，另一种是双极型晶体管，两种载流子参与工作
单极型的晶体管，也叫场效应管，场效应，就是利用电场效应改变电荷分布，场效应晶体管，就是利用电压（电场），改变了工作电流的大小，有结型场效应管，和金属氧化物半导体型场效应管（MOSFET）
双极型晶体管，就是两个PN结共同作用，主要分为PNP型、NPN型
继续MOSFET，继续分类，就是N-MOSFET和P-MOSFET，这俩器件组合在一起叫做推挽型MOSFET，也叫CMOS，CMOS=NMOS+PMOS
无论是做双极晶体管，还是单极晶体管，可选的材料体系有硅、锗、锗硅合金、砷化镓化合物、铟磷化合物...等等
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