mos衬底效应
发表时间：2024-07-29 12:30:44
来源：网友投稿
在工程设计中，衬底偏置效应对阈值电压的影响可用下面的近似公式计算：
γ为衬底偏置效应系数，它随衬底掺杂浓度而变化，典型值：NMOS晶体管，γ=0.7~3.0。PMOS晶体管，γ=0.5~0.7对于PMOS晶体管，∆VT取负值，对NMOS晶体管，取正值。
对处于动态工作的器件而言，当衬底接一固定电位时，衬偏电压将随着源节点电位的变化而变化，产生对器件沟道电流的调制，这称为背栅调制，用背栅跨导gmB来定义这种调制作用的大小。
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