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双驼峰效应

发表时间:2024-07-29 12:31:04 来源:网友投稿

当栅极金属跨越多晶硅岛控制TFT沟道时,同时在多晶硅岛的边缘也形成等效寄生晶体管结构,称为边缘薄膜晶体管。

漏极电流可分解为主要TFT电流和边缘TFT电流:Id=Id(main)+Id(edge)。

通常边缘TFT占总体电流比例不高了,可忽略不计,但如果多晶硅岛边缘氧化层覆盖性不佳造成氧化层较薄的话,边缘TFT特性明显,其他因素如器件尺寸、多晶硅厚度、Taper角度、辐射辐照等因素都会增加边缘TFT电流的比例,导致出现驼峰效应

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