tpc8109引脚参数
发表时间：2024-07-29 12:38:49
来源：网友投稿
TPC8109(TE12L)产品参数
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
系列：-
包装：剪切带（CT）
零件状态：Digi-Key 停产
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
1、0A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：45nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2260pF @ 10V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：
1、W（Ta）
工作温度：
1、50°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
封装/外壳：8-SOIC（0.173"；
4.40mm 宽）
标准包装：
1、
其它名称：TPC8109CT TPC8109TE12L
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