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EL817 晶体管的耗散功率是多少

发表时间：2024-07-29 12:46:41 来源：网友投稿

EL817是一种光耦合器件，它由一个发光二极管和一个光探测器组成。晶体管的耗散功率与该器件的电流和电压有关。根据EL817的规格书，发光二极管的最大连续发光电流为50mA，允许的最大逆向电压为6V。而光探测器的最大逆向电压为35V。当发光二极管通电时，其耗散功率可以通过计算电流和电压的乘积来得到。例如如果发光二极管通电电流为50mA，电压为1.5V，则其耗散功率为50mA × 1.5V = 75mW。同样地当光探测器处于逆向电压时，其耗散功率可以通过计算电流和电压的乘积来得到。例如如果光探测器处于逆向电压为25V，逆向电流为10mA，则其耗散功率为10mA × 25V = 250mW。需要注意的是，这只是EL817器件可能的输出功率范围，具体的耗散功率取决于实际电路中的驱动条件和环境温度等因素。所以在设计电路时，需要根据具体的应用要求和条件来选择合适的电流和电压，以确保器件在正常工作范围内工作并避免过热现象。

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