霍尔效应迁移率计算式
发表时间:2024-07-29 12:47:26
来源:网友投稿
霍尔效应是一种电子物理现象。当半导体内部施加一个正交磁场时,载流子(电子或空穴)会向一侧偏移,这称为霍尔效应。
霍尔效应迁移率的计算式为:
RH = IBet
其中:
RH是霍尔效应迁移率
I是流过半导体横截面的电流强度
B是施加的磁场强度
net是载流子浓度
通过测量霍尔效应迁移率,可以计算出半导体内部的载流子类型和浓度,从而分析半导体的性质。
公式分解:
霍尔效应迁移率 RH表示载流子在给定电流和磁场下的偏移速度。
当施加磁场B时,载流子会感受到罗伦兹力,产生偏移。偏移率与电流强度I和磁感应强度B成正比,与载流子浓度net成反比。
所以公式可以表示为RH = IBet。
希望以上解释和公式能够帮助到您。 如果还有任何疑问,欢迎随时和我交流。
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