外延生长的基本条件
发表时间：2024-07-29 13:01:42
来源：网友投稿
需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。
外延生长是指在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段。外延生长技术发展于50年代末60年代初。
当时为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，所以需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。
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