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hy5110场效应管参数

发表时间：2024-07-30 07:54:06 来源：网友投稿

hy5110场效应管参数:

漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）（25°C 时）为316A，栅源极阈值电压为4V@ 250uA，漏源导通电阻为2.5mΩ @ 158A,10V，最大功率耗散（Ta=25°C）为500W，类型为N沟道。

场效应管（FET）全称是Field Effect Transistor。结型场效应管（JFET）全称是Junction Field Effect Transistor，结型是PN结的意思。JFET分为N沟道和P沟道两种，下面以N沟道为例说明JFET的整体结构。

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