cs10n65f场效应管参数
发表时间:2024-07-31 17:44:55
来源:网友投稿
10N60 :N沟道MOSFET功率,10A600V。
10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换。电流不用考虑了。 场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极zd型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1. 场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。
2. 场效应管cs8n60参数:8n60;7.5A;600V,RDS=1.2欧。10n60参数:
1、0A;600V,RDS=0.73欧。
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