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体效应和沟道长度效应的原理

发表时间：2024-08-01 09:37:37 来源：网友投稿

mos晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大vds，夹断点会略向源极方向移动。

导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使id增大，这种效应称为沟道长度调制效应 MOS管漏极和源极之间的电压差增大，实际反型沟道长度逐渐减小。比如说减小量为△L,那么实际沟道长度就为L'=L-△L，L'实际上是Vds的函数，1/L'≈（1+△L/L）/L，假设△L/L和Vds之间是线性关系，△L/L=λVds，通常用λ表示沟道长度调制系数。沟道长度调制使Id/Vds的特性曲线出现非零斜率这样就使得源极和漏极之间的电流源不理想。参数λ表示给定的Vds增量所引起的沟道长度的相对变化量，所以对于较长的沟道λ较小。

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