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蚀刻和刻蚀的区别

发表时间：2024-08-16 10:27:48 来源：网友投稿

光刻：是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。

原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。刻蚀：是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

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