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低压电容计算公式

发表时间：2024-08-23 10:20:11 来源：网友投稿

电容的串并联容量公式-电容器的串并联分压公式1.串联公式：C = C1*C2/(C1 + C2)2.并联公式C = C1+C2+C3补充部分：串联分压比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此并联分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然这是交流条件下一个大的电容上并联一个小电容大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。

电感对高频信号的阻抗是很大的，所以大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，所以体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的式。常使用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好(瓷片电容也行)，当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容，越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。

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