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ald和cvd优缺点

发表时间:2024-08-23 21:11:20 来源:网友投稿

ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料,一次沉积单层薄膜几分之一的厚度,以尽可能生成最薄、最均匀的薄膜。

工艺的自限特性以及共形沉积的相关能力,是其成为微缩与 3D 技术推动因素的基础。自限式表面反应让原子级沉积控制成为可能:薄膜厚度仅取决于执行的反应周期数。表面控制会使薄膜保持极佳的共形性和均匀厚度,这两点是新兴 3D 器件设计的必备特性。CVD(化学气相沉积)工艺有着广泛的应用。从晶体管结构图形化薄膜到电路导电金属层之间的绝缘材料,CVD 工艺的身影无所不在。

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