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芯片测试fa分析方法有哪些

发表时间:2024-08-23 21:24:21 来源:网友投稿

1.OM 显微镜观测,外观分析2.C-SAM(超声波扫描显微镜)(1)材料内部的晶格结构,杂质颗粒,夹杂物,沉淀物,(2) 内部裂纹。

(3)分层缺陷。

(4)空洞,气泡,空隙等。

3. X-Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。(这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段)4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸)5.取die,开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除,使被检样品内部结构暴露。

6. EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点,LC要借助探针台,示波器)7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定,以方便后续实验进行8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层,使被检样品下层金属暴露,如需去除金属层观察下层结构,可利用研磨机进行研磨去层。

9. FIB做一些电路修改,切点观察10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。

11. ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。失效分析步骤:

1. 一般先做外观检查,看看有没有crack,burnt mark 什么的,拍照;2.非破坏性分析:主要是xray--看内部结构,超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delaminaTIon,等等;3.电测:主要工具,IV,万用表,示波器,sony tek370b;4.破坏性分析:机械decap,化学 decap 芯片开封机。

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