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台积电12纳米工艺怎么样

发表时间：2024-08-24 02:07:17 来源：网友投稿

台积电针对 16 纳米 FinFET 制程开发进入第四代，统称为 12 纳米制程技术，力旺开始配合 12 纳米开发相关的 NeoFuse IP，继 16 纳米精简版 FinFET 制程后，台积电和力旺在先进制程上再度合作。

台积电 16 纳米制程经历 16 纳米 FinFET、16FF＋和 16FFC 三代技术，拿下苹果（Apple）、联发科、海思、赛灵思及 NVIDIA 等订单后，即将进入 16 纳米第四代制程技术，台积电也罕见地改变策略推出改版制程，也就是 12 纳米制程技术，吸引更多客户投单以提升 12 吋晶圆厂的产能利用率。随着台积电进入 12 纳米制程世代，非挥发性嵌入式 eNVM IP 供应商力旺也配合台积电的 12 纳米制程开发 NeoFuse IP。力旺指出12 纳米 FinFET 制程是 16 纳米 FinFET 系列的第四代，与前几代相比，12 纳米具备更低漏电特性和成本优势，力旺和台积电已经从 16 纳米 FinFET 第一代一路配合到最新的第四代制程，在每一代制程平台上都布建 NeoFuse IP。另外在 16 纳米精简版 FinFET（16FFC）制程上，力旺也完成完成可靠度验证，且已有客户于产品中内嵌 NeoFuse IP，并完成设计定案（Tape Out）。

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