半导体薄膜工艺流程
发表时间:2024-08-24 16:36:51
来源:网友投稿
关于半导体薄膜工艺流程主要包含物理方法和化学方法两种。
物理方法主要利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程,实现物质原子从源物质到衬底材料表面的物质转移,常见的有物理气相沉积(PVD)、旋涂、电镀(Electrodeposition/Electroplating,ECD/ECP)等。其中PVD又可以细分为真空蒸镀和溅射两大方法。另一方面化学方法则是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸汽,以合理的气流引入工艺腔室,在衬底表面发生化学反应并在衬底表面上沉积薄膜。另外还有例如化学气相沉积(CVD),主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。然后从整个半导体产品的制造流程来看,一般会经过晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装等步骤。其中晶圆加工是第一步,并且获取超高纯度的电子级硅是关键步骤。芯片制造的关键在于将电路图形转移到薄膜上这一过程,所以薄膜沉积工艺是大多数模块工艺的关键步骤。总体而言半导体薄膜工艺流程是一个既复杂又关键的制造环节,需要精细的控制与操作来确保最终产品的性能。
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