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什么是金属-氧化物-半导体动态随机存储器

发表时间：2024-10-06 07:07:04 来源：网友投稿

金属-氧化物-半导体动态随机存储器，简称MOS-DRAM，是一种计算机存储器。它利用MOS晶体管和电容器存储数据。电容器可以充电和放电，表示0和1。MOS-DRAM优点是集成度高、成本低，但需要定期刷新电容器以保持数据，所以读写速度较慢。

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