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什么是窄禁带半导体

发表时间：2024-10-06 07:26:57 来源：网友投稿

窄禁带半导体是指禁带宽度较小的半导体材料。禁带是指绝缘体和导体之间的能量区间。窄禁带半导体如氮化镓、碳化硅等，其禁带宽度在1.2-3.4eV之间。与传统硅半导体相比，窄禁带半导体具有更高的电子迁移率、更高的工作频率和更好的热稳定性。这使得它们在高速电子器件、高频通信、LED照明和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。

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