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mos的雪崩效应

发表时间：2024-10-25 15:10:06 来源：网友投稿

MOS的雪崩效应是指在金属氧化物半导体（MOS）晶体管中，当电压超过一定阈值时，绝缘层（SiO2）会因电场强度过大而击穿，导致电流急剧增加的现象。这种现象就像雪崩一样，一旦开始，就会迅速加剧。在雪崩效应发生时，晶体管会失去控制，电流迅速上升，可能会损坏晶体管。这是由于绝缘层被破坏后，漏电流增加，进一步加剧了电场强度，使绝缘层进一步损坏。所以在设计MOS晶体管时，需要严格控制工作电压，以避免雪崩效应的发生，确保晶体管的稳定性和可靠性。

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