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th1怎么求门限电压

发表时间:2024-11-11 13:51:32 来源:网友投稿

TH1求门限电压的方法如下:首先需要了解TH1是晶体管的一种类型,通常指的是N沟道增强型MOSFET。门限电压是指晶体管开始导通的最低电压。求门限电压的方法是,将TH1晶体管栅极电压逐渐升高,同时测量漏极电流,当漏极电流开始显著增加时,此时的栅极电压即为门限电压。具体操作是用万用表设置在适当的电流测量模式,逐渐增加栅极电压,记录漏极电流变化,当漏极电流上升至一个明显拐点时,对应的栅极电压就是门限电压。

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