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光刻和纳米压印的区别

发表时间：2024-07-22 12:42:45 来源：网友投稿

光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻胶涂复后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

纳米压印是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。目前报道的加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术达到的分辨率。这项技术最初由美国普林斯顿大学的Stephen. Y. Chou（周郁）教授在20世纪90年代中期发明。

所以光刻和纳米压印的区别:光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻胶涂复后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。纳米压印是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上的技术。目前报道的加工精度已经达到2纳米，超过了传统光刻技术达到的分辨率。这项技术最初由美国普林斯顿大学的Stephen. Y. Chou（周郁）教授在20世纪90年代中期发明。

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