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法拉第赝电容器原理

发表时间：2024-07-29 09:38:20 来源：网友投稿

赝电容从电化学的角度可以分为三个类型：

(1)欠电位沉积;

(2)氧化还原赝电容;

(3)插层式赝电容。欠电位沉积是溶液中金属离子在其氧化还原电位下，吸附在另一种金属表面形成单层金属层的过程。这一过程是发生在两种不同金属之间的，典型的例子就是利用欠电位沉积法在金电极表面沉积一层铅。氧化还原赝电容是指溶液中的离子电化学吸附到活性物质表面或者近表面，然后与传输来的电子发生氧化还原反应，将电子/离子转化为电荷储存起来的过程。插层式赝电容是针对隧道状或者层状材料的一种新型的赝电容形式。溶液中的离子插层到材料的孔或者层间，进而与周围的原子、传输过来的电子发生氧化还原反应。这种赝电容形式不同于锂电池的插层，不会发生材料的相变。三种类型的赝电容虽然具体的物理化学过程不尽相同，但是其氧化还原反应过程中电荷转移数量和反应电位的关系却遵循着同一公式：

赝电容

其中E是电位（V），R是理想气体常数（8.3 J/mol K），T是温度（K），n是电子数，F是法拉第常数（96485 C/mol），X是一个比例系数，代表着表面或者内部孔道结构占据的比例。所以可以推导出电容的计算方法：

赝电容

其中m是活性物质的分子质量。从公式中可以看出，E与X并不是完全的线性关系，所以电容并不是一个常数，与物理学的电容不同，所以将其命名为“赝”电容。

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