光刻胶正胶和反胶的区别
发表时间：2024-07-29 12:37:26
来源：网友投稿
光刻胶是一种用于制作微电子芯片、集成电路等微观结构的关键材料。在光刻工艺中，光线透过光刻胶进行曝光和显影，形成所需的微观结构。光刻胶可以分为正胶和反胶两种类型。
正胶是一种在紫外光曝光后形成的可溶性胶，即曝光后，胶层被光固化，而未曝光的部分则保持可溶性。在显影过程中，未被光固化的部分被溶解掉，从而形成与光影相反的图案。所以正胶所形成的图案是“反的”，与掩膜相反。正胶在生产线上使用较广泛，因为正胶可以更容易地用于复杂的微细加工过程，并且可以减少误差。
反胶则是在紫外光曝光后形成不可溶性胶。曝光后胶层的被曝光区域变得不可溶，而未曝光的部分保留了可溶性。在显影过程中，曝光区域保留而非曝光区域被移除，形成与光影方向相同的图案。所以反胶所形成的图案是“正的”，与掩膜相同。反胶在一些特殊的微细加工过程中使用，例如制造表面上的微镜或光学元件。
总之正胶和反胶的区别在于曝光后被固化的部分。对于正胶未曝光的部分可被溶解；对于反胶，曝光的部分则是不可溶性的。
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